我国首批完全自主知识产权32层三维NAND闪存芯片年内量产

际高端水平的主流芯片，在填补中国企业芯片领域空白上迈出了重要一步。4月9日，该芯片获得中国电子信息博览会金奖。长江存储执行董事长高启全透露，未来几个月内，近3000套生产机台将陆续进场安装调试，预计7月底或8月初具备试生产条件，年内将可产出5000片32层三维NAND闪存芯片；2019年，32层三维NAND闪存芯片产量将提升至每年10万片，当年年底试产64层三维NAND闪存芯片；2020年，64层三维NAND闪存芯片产能将提升至每年10万片，并研发具有全球先进水平的128层三维NAND闪存芯片。国务院公布的《促进中部地区崛起“十三五”规划》明确提出，“支持武汉、合肥建设存储器产业基地”。目前，湖北省和武汉市正在举全省、全市之力，将这一项目打造成转型跨越发展的千亿元高科技产业项目。武汉市有关负责人告诉记者，在加快实现存储器芯片量产的同时，武汉东湖高新区将加大设计、设备、材料、封测、存储控制等企业招商引资力度，打造“芯片—显示—终端”全产业链，尽快形成万亿级产业集群。（经济日报-中国经济网记者 郑明桥 通讯员 吴 非）